《徽声在线》4月1日讯（记者 郭辉） 今日（4月1日），中微公司在临港产业化基地隆重举行了2025年度业绩说明会，向业界展示了其强劲的发展势头与宏伟的战略规划。

中微公司董事长尹志尧在会上强调，面对行业发展的新机遇与外部环境的挑战，中微公司始终站在先进制程工艺的前沿，坚守不抄袭、不复制国外标配设备的原则，致力于技术创新、产品差异化与知识产权保护三大核心。公司采取有机生长与外延扩展并重的策略，不断提升产品覆盖度，正稳步迈向多样化、平台化、规模化的发展新阶段。

截至目前，中微公司已有37种成熟设备在生产线上实现量产，并赢得了大量订单。这些设备包括高能等离子体CCP刻蚀机、低能等离子体ICP刻蚀机、各类薄膜设备以及宽禁带半导体MOCVD设备等，展现了公司强大的技术实力与市场竞争力。

据尹志尧介绍，过去14年间，中微公司的设备已广泛应用于全球170多个客户的芯片及LED生产线，实现量产的机台累计装机数高达8000台。在这14年中，公司在线积累台数的年增长率始终保持在37%以上，年销售增长率也稳定在35%以上，彰显了公司稳健的发展态势。

尹志尧特别指出，近五年占公司销售75%以上的等离子刻蚀设备，保持了超过51%的惊人增长速度。他表示：“这是半导体产业史上绝无仅有的增长速度。我们期待未来5到10年，公司仍能保持这样的高速增长态势。”

根据中微公司最新发布的财报，2025年全年公司实现营业收入123.85亿元，同比增长36.62%，经营业绩创下历史新高；归属于母公司所有者的净利润约21.11亿元，较上年增加约4.96亿元，同比增长约30.69%，展现了公司强大的盈利能力与市场潜力。

值得一提的是，中微公司2025年的研发投入占年销售额的比例高达30.2%，体现了公司对技术创新的重视与投入。

尹志尧解释称，公司保持高研发投入的原因有两方面：一是公司研发能力大幅提升，过去开发一款新设备可能需要三到五年甚至七年，现在一般只需18-20个月就能完成；二是市场发展趋势要求客户对高端设备的需求日益迫切，要求设备不仅能匹配国际先进水平，更要实现超越。因此，公司必须加大研发投入，以支撑公司的高速增长。近两年，中微公司每年同时推进20余种新设备的研发，研发任务饱满而充实。

目前，中微公司已覆盖300种不同的等离子刻蚀应用，其中CCP刻蚀机对应108种，ICP刻蚀机对应192种，展现了公司在刻蚀技术领域的全面布局与深厚积累。

尹志尧强调，刻蚀工艺必须做到“量身定制”。中微公司已开发出近300种不同的刻蚀应用，几乎覆盖了所有半导体刻蚀应用场景。目前，该公司CCP刻蚀机95%以上的应用、ICP刻蚀机99%以上的应用，已形成大规模生产数据支撑或通过客户验证，进一步巩固了公司在刻蚀设备市场的领先地位。

尹志尧还透露，2025年中微公司的薄膜设备销售迎来了爆发式增长，营收同比大幅增长约224.23%，成为公司业绩增长的重要新引擎。

在薄膜设备方面，中微公司已全面布局，在以半导体薄膜为主的薄膜设备领域，公司已启动40多种设备的研发。截至2025年，公司已成功开发出钨系列薄膜沉积设备、ALD氮化钛、ALD钛铝、ALD氮化钽等产品，以及钼金属沉积设备等。尹志尧表示：“2026年，我们还将开发更多薄膜设备，预计再过两年，40多种薄膜设备将基本全部落地，为公司的发展注入新的动力。”

据介绍，目前薄膜设备的全球市场规模与刻蚀设备相当，约250亿至270亿美元，为中微公司提供了广阔的发展空间。

WSTS的最新数据显示，预计2026年半导体芯片销售额将强势增长至9750亿美元，相比去年同期增长23%。而全球晶圆厂设备的销售额预计将超过1300亿美元，将创历史新高。中国以463亿美元的规模，有望继续成为全球最大的集成电路前道设备市场，占全球前道市场的38%，为中微公司等国内企业提供了难得的发展机遇。

在业绩会上，尹志尧还表示，随着中微公司在广州和成都研发及生产基地建设的相继启动，公司未来厂房总面积将达到85万平方米，这将进一步增强公司的产品研发与高端设备制造能力，全面深化在半导体及泛半导体产业链的战略布局。

按照规划，未来上海临港基地将主要用于研发以及新产品的生产，南昌将主要用于成熟的刻蚀机和MOCVD生产，成都将主要用于CVD新品以及其他新产品的生产，广州则主要用于大平板设备生产，形成各基地协同发展的良好格局。

尹志尧表示，届时中微公司在全国各基地的产值总和将达到700亿元人民币的水平。他满怀信心地说：“希望到2035年，中微公司能够满足公司下游市场需求，同时在规模、产品竞争力、客户满意度方面，成为全球第一梯队的半导体设备公司，为中国的半导体产业发展贡献更大的力量。”