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万亿美元“芯时代”,先进封装、3D IC成为群雄“逐鹿”之地 | SEMICON China观察

来源:未知 作者:佚名 发布时间:2026-03-30 19:12:29

每经记者:朱成祥 每经编辑:廖丹

3月25日至27日,半导体行业盛会——SEMICON China如期而至。本届展会汇聚了1500余家上下游企业,吸引超18万专业观众。

漫步展馆,北方华创与中微公司的展台前人头攒动,拥挤的人潮折射出市场的高度关注。高涨的人气背后,究竟显示出一条怎样的产业进阶之路?



北方华创展台前人头攒动 图片来源:每经记者 朱成祥 摄

SEMI中国总裁冯莉在开幕主题演讲中表示,在AI算力以及全球数字化经济驱动下,全球半导体产业迎来了历史性时刻,原认为2030年才会达到的万亿美元“芯时代”有望于2026年底提前到来。同时,她认为,2026年半导体产业的三大趋势包括AI算力、存储革命、由先进封装等技术驱动的产业升级。


3D制造相关设备崛起

如果说湾芯展是新凯来的主场,那SEMICON China或许是中微公司的主场。在此次展会上,中微公司的动向成为业内关注的焦点。尽管中微公司略显低调,其小规模定向邀约的新品发布会也挤满了希望“一睹风采”的业内人士。

半导体前道制造中,光刻固然重要,但刻蚀、薄膜沉积这两大工艺同样非常重要。特别是从平面型集成电路走向3D制造,刻蚀、薄膜沉积的重要性日益凸显。

AI算力方面则需要更先进的制程,以支持在单位空间放置更多的晶体管,从而提升算力。十多年以来,半导体先进制程一直基于鳍式场效应晶体管(FinFET)结构,而如今,正在转向GAA(全环绕栅极)结构。

存储革命方面,不仅仅NAND(闪存)正在走向3D,DRAM(内存)也开始走向3D结构。3D DRAM不同于HBM(高带宽内存)。HBM是多片DRAM封装成立体的结构,3D DRAM是把单片DRAM做成3D立体结构。这是未来DRAM提升容量、带宽的重要方向。

在FinFET走向GAA,存储芯片从平面走向3D的背景下,中微公司有何动作?公司针对GAA晶体管、3D DRAM等三维器件制造的关键工艺,推出了Primo Domingo™高选择性刻蚀设备,填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白。

中微公司表示,该产品的成功研发,不仅进一步丰富了公司在高端刻蚀设备领域的产品矩阵,更有力支撑了集成电路产业在先进工艺节点上的技术攻坚,为客户实现更高性能、更小尺寸的器件制造提供了关键工艺设备保障。

另外,在3D NAND领域,尤其需要高深宽比刻蚀机。此次,中微公司针对5纳米及以下逻辑芯片和先进存储芯片的高深宽比刻蚀需求,发布了新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备Primo Angnova™。

值得一提的是,记者在现场看到,长春光机所也展示了DUV(深紫外光)物镜。不过,其工作人员表示,该产品仅用于晶圆检测领域,并非光刻机用DUV物镜。


国内先进封装水平几何?

当下AI算力、存储芯片的产能扩张,很大程度上更加受制于先进封装设备。国内先进封装设备厂商华封科技就表示,先进封装产能全球稀缺,台积电先进封装产能预定至2030年,日月光产能至2028年底基本满载,市场存在巨大的产能补充需求。

先进封装也在重构半导体产业链。原本的产业链中,晶圆厂负责晶圆制造,将其交给委外封测厂进行封装测试,再由模组厂进一步组装,最后形成终端产品。而随着先进封装的发展,很多晶圆厂也开始进入先进封装领域,上述制造模式转为“晶圆制造—先进封装—终端产品”。

在上述背景下,先进封装设备厂商开始从“十年磨一剑”向“整线解决方案”转型,而整线解决方案需整合全产业链顶级资源。

华封科技联合首席科学家杜嘉秦表示,当前先进封装技术正从电磁学走向力学的深水区,设计与封装环节的边界加速消融。华封科技在设计工具(Process Design Kit)上深度对接全球半导体产业链顶尖技术,从设备、材料到底层物理特性进行全方位技术攻坚。

而先进封装设备的玩家,不仅仅是传统封装测试设备厂商,前道设备厂商也开始进入,比如拓荆科技。该公司也是国内第三家突破千亿元市值的半导体设备厂商,仅次于北方华创和中微公司。

拓荆科技近年来凭借在薄膜沉积领域的深厚积累,成功向先进封装领域拓展。本次展会展出的3D IC(三维集成电路)系列新品涵盖熔融键合、激光剥离等多款产品,重点聚焦先进逻辑芯片Chiplet异构集成、三维堆叠及HBM相关应用。

键合设备被视为3D IC的重要设备,它能将芯片、晶圆在立体空间连接起来。目前,先进封装领域键合设备市场,主要由奥地利厂商EVG等公司占据,而拓荆科技则是国内键合设备重要厂商。

此次SEMICON,拓荆科技带来的四款新品中,就有3D IC系列设备。熔融键合设备方面,Pleione 300 HS兼容多种芯片尺寸和厚度,能实现自动更换拾取与键合模组,产能高于现有产品的50%。Lyra 300 eX 新一代晶圆激光剥离设备,应用于先进逻辑(BSPDN)和先进存储(VCT)背面工艺,是无金属污染、低应力、无热影响的设备与工艺的完整解决方案。

可以看出,先进封装、3D IC已成为各类半导体设备厂商群雄逐鹿之地。半导体前道设备各类细分赛道被少数厂商所垄断,比如ASML的光刻机、泛林的刻蚀、应用材料的薄膜沉积设备、TEL的涂胶显影、爱德万测试的先进测试设备等。而在先进封装、3D IC设备领域,竞争才刚刚开始。

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